Im österreichischen Werk können nun auch Galliumnitrid-Chips, die für Elektroautos benötigt werden, schneller und billiger produziert werden
Der deutsche Halbleiterkonzern Infineon kann einen „Meilenstein“ in der Halbleiterfertigung vermelden. Im Infineon-Werk in Villach wurde auf einer Pilotlinie ein Verfahren entwickelt, mit dem sich Halbleiter aus dem neuen Material Galliumnitrid (GaN) künftig deutlich günstiger als bisher herstellen lassen.
Infineon ist damit das erste Unternehmen weltweit, das die 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie beherrscht. Damit wird eine Massenproduktion von GaN-Chips möglich, die als Stromsparchips der Zukunft etwa in Elektroautos zum Einsatz kommen.
Der Markt für GaN-Chips werde bis zum Ende des Jahrzehnts ein Volumen von mehreren Milliarden Dollar erreichen, sagte Infineon-Chef Jochen Hanebeck bei einer Telefonkonferenz am Mittwoch. Davon werde sich sein Unternehmen eine große Scheibe abschneiden. „Wir wollen den Markt formen.“
InfineonVillach ist Kompetenzzentrum
Bei Infineon in Villach freute sich Thomas Reisinger, Vorstand Operations bei Infineon Austria, über den Durchbruch: „In den letzten Jahren wurden in Villach, als globales Kompetenzzentrum für Leistungselektronik, wesentliche Investitionen in die Weiterentwicklung der Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid getätigt. Mit dieser Weltneuheit haben wir einmal mehr bewiesen, dass Innovation in unserer DNA steckt“, so Reisinger.
Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern (siehe Bild) ist laut Unternehmensangaben technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht. Gleichzeitig erlaube das neue Verfahren, auf Anlagen zur Herstellung klassischer Silizium-Chips mit geringen Anpassungen auch GaN-Halbleiter zu fertigen.
Kleinere und leichtere Ladegeräte
Mit Hilfe von GaN-Chips können kleinere und leichtere Ladegeräte gebaut werden, wie etwa für Laptops und Smartphones oder Elektroautos. Auch in Solarstrom-Anlagen oder beim Energiemanagement von Hochleistungsrechnern für Künstliche Intelligenz (KI) kommen sie zum Einsatz.
GaN-Chips sind teuer, aber effizient
Wegen der größeren technischen Herausforderungen bei der Produktion sind GaN-Chips noch viel teurer als vergleichbarer Silizium-Chips. Galliumnitrid wird vor allem für Leuchtdioden (LEDs) verwendet und wurde erst vor einigen Jahren für die Halbleiterindustrie entdeckt. Das kristallartige Material kann höhere Spannungen leiten als Silizium. Strom fließt schneller durch die Komponenten, also laden die Elektrogeräte zügiger. Der Preis gilt jedoch nach wie vor als Herausforderung. Infineon rechnet damit, dass durch die Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern die Kosten deutlich gesenkt werden.
Schwächelnde Nachfrage
Der GaN-Durchbruch kommt für Infineon in einer schwierigen Phase. Wegen einer schwächelnden Nachfrage aus der Automobil- und Ökostrom-Branche musste der Konzern in den vergangenen Monaten mehrfach seine Geschäftsziele korrigieren. Außerdem streicht er mehrere tausend Stellen. Im Rahmen des bereits im Mai von der deutschen Mutter angekündigten Sparprogramms sollen auch in Österreich in den nächsten zwei Jahren 380 von insgesamt 6.000 Stellen wegfallen.
Source:: Kurier.at – Wirtschaft
